创维半导体设计大厦开发商
区域南山科技园
出租面积206-506-693-1555-19000㎡
出租价格174元/㎡
标准层面积1628㎡
楼盘名称创维半导体设计大厦
创维半导体设计大厦简介创维半导体设计大厦为深圳特区成立30周年产业项目之一，于2010年8月24日奠基，建设周期3年。大厦位于深圳市**园南区核心区域，占地面积17025.5平方米，总建设面积124533.62平方米，计容建筑面积为84931.04平方米，建筑楼高99.8米，长171米；其中东、西座地上24层，地下3层；裙楼连接东、西两座塔楼，地上5层，地下3层；办公标准楼层柱距为8.4米。写字楼大堂高10米，2-5楼标准层高4.5米，6-24楼标准层高4米，荷载250KG，标准楼层约1628平方米，使用率70%-80%；商业1楼层高5.7米，2-5楼层高4.5米，荷载350KG。创维半导体设计大厦大厦外墙采用金属铝板、玻璃幕墙（采用中空玻璃、隔音、隔热性能至佳）。停车位726个。电梯系统创维半导体设计大厦电梯采用瑞士进口迅达。共有23台（其中垂直升降梯21台，扶梯2台）。东座有垂直升降电梯8台，载重均为1350KG，高区客梯速度为3.5m/s，低区客梯、消防梯、VIP电梯速度均为2.5m/s。西座有垂直升降客、货梯9台，除货梯载重为2000KG外，其余均为1350KG，高区客梯速度为3.5m/s，低区客梯、消防梯速度均为2.5m/s，货梯速度为0.5m/s。裙楼有垂直升降梯4台，扶手电梯2台，客梯载重均为1350KG，速度均为1.75m/s。高低压配电系统创维半导体设计大厦项目基础信息：项目位置：深圳市南山科技园南区地 铁：1号线 高新园站C出口导航地址：创维半导体设计大厦开发商：创维开发商项目占地面积：17025万㎡项目建筑面积：约124533.62万㎡标准层面积：1628㎡ 办公面积：约2.6万㎡ 高度：24层标准层高：4.5m在租面积：316–568㎡使用率：70%停车位：707个电梯及数量：6部日立电梯停车费：400元/月空调系统：24H物业管理费：15元交付标准：简装交楼时间：现楼
深圳南山科技园创维半导体设计大厦写字楼�� �� 创维半导体设计大厦--1598.23㎡��租赁面积：1598.23平��使用率：70%��租金：面议（含税）��管理费：18元/平/月(空调开放）��空调维护费：2.4元/平��朝 向：四面采光��隔局：14+1格局（180-230人）��停车月卡：400元��地 铁：南山区科技园南区（1号线高新园地 铁站C出口315米）��备注：四面采光、办公环境舒适一年起签，5%递增#深圳写字楼出租 #深圳办公室出租 #南山写字楼 #南山办公室 #科技园写字楼租赁 #科技园办公室租赁 #创维半导体设计大厦
创维半导体设计大厦基本信息物业类别：标准写字楼总 层数：地上24层，地下3层 物 业费：12.5元/平米建筑面积：124533平方米竣工时间：2013-08-01电梯数量：客梯14部，货梯9部电梯：三菱电梯空 调：水冷中央空调系统车 位：726个占地面积：17025.50平方米项目地址：广东省深圳市南山区高新南四道18号
创维半导体设计大厦项目基础信息：项目位置：深圳市南山区高新南四道18号地 铁：1号线 高新园站C出口导航地址：创维半导体设计大厦开发商：创维开发商在租面积：316–567㎡出租价格：174元/㎡项目占地面积：17025万㎡项目建筑面积：约124533.62万㎡标准层面积：1628㎡ 办公面积：约2.6万㎡ 高度：24层标准层高：4.5m在租面积：316–568㎡使用率：70%停车位：707个电梯及数量：6部日立电梯停车费：400元/月物业管理费：15元交楼时间：现楼
创维半导体设计大厦写字楼大堂高10米，2-5楼标准层高4.5米，6-24楼标准层高4米，荷载250KG，标准楼层约1628平方米，使用率70%-80%；商业1楼层高5.7米，2-5楼层高4.5米，荷载350KG。创维半导体设计大厦为深圳特区成立30周年**产业项目之一，于2010年8月24日奠基 ，建设周期3年。创维半导体设计大厦位于深圳市**园南区**区域，占地面积17025.5平方米，总建设面积124533.62平方米，计容建筑面积为84931.04平方米，建筑楼高99.8米，长171米；其中东、西座地上24层，地下3层；裙楼连接东、西两座塔楼，地上5层，地下3层；办公标准楼层柱距为8.4米。写字楼大堂高10米，2-5楼标准层高4.5米，6-24楼标准层高4米，荷载250KG，标准楼层约1628平方米，使用率70%-80%；商业1楼层高5.7米，2-5楼层高4.5米，荷载350KG。创维半导体设计大厦大厦外墙采用金属铝板、玻璃幕墙（采用中空玻璃、隔音、隔热性能至佳）。停车位726个。创维半导体设计大厦为深圳特区成立30周年**产业项目之一，于2010年8月24日奠基，建设周期3年。大厦位于深圳市**园南区**区域，占地面积17025.5平方米，总建设面积124533.62平方米，计容建筑面积为84931.04平方米，建筑楼高99.8米，长171米；创维半导体设计大厦位置：深圳市南山区高新南四道与科技南十路
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深圳南山科技园创维半导体设计大厦写字楼
创维半导体设计大厦基本信息
创维半导体设计大厦项目基础信息：
